Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. В 2 частях. Часть 2. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования

Часть вторая. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования. Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области.